首页> 外文OA文献 >Quantum crossover in moderately damped epitaxial NbN/MgO/NbN junctions with low critical current density
【2h】

Quantum crossover in moderately damped epitaxial NbN/MgO/NbN junctions with low critical current density

机译:具有低临界电流密度的中等阻尼外延NbN / mgO / NbN结中的量子交叉

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

High quality epitaxial NbN/MgO/NbN Josephson junctions have been realized with MgO barriers up to a thickness of d = 1 nm. The junction properties coherently scale with the size of barrier, and low critical current densities down to 3 A/cm(2) have been achieved for larger barriers. In this limit, junctions exhibit macroscopic quantum phenomena for temperatures lower than 90 mK. Measurements and junction parameters support the notion of a possible use of these devices for multiphoton quantum experiments, taking advantage of the fast non equilibrium electron-phonon relaxation times of NbN. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3624471]
机译:高质量外延NbN / MgO / NbN Josephson结已经实现了MgO势垒,厚度达d = 1 nm。结的性质与势垒的大小一致地缩放,对于较大的势垒,已经实现了低至3 A / cm(2)的低临界电流密度。在此限制下,结在温度低于90 mK时表现出宏观量子现象。测量和结参数支持利用NbN的快速非平衡电子-声子弛豫时间来将这些设备用于多光子量子实验的想法。 (C)2011美国物理研究所。 [doi:10.1063 / 1.3624471]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号